离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。   

离子注入机通常由离子源、离子引入和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等组成。离子源是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。

    作为高真空设备，其出厂、安装、维护都离不开榴莲视频APP色版汅片。由于半导体行业生产需要高洁净度，通常离子注入机设备都是选用干泵型的氦质谱检漏仪来满足设备的出厂安装以及维护需要，主要采用负压喷氦法来查找设备可疑泄漏点。

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